casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD12P10TM
Número da peça de fabricante | FQD12P10TM |
---|---|
Número da peça futura | FT-FQD12P10TM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQD12P10TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD12P10TM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQD12P10TM-FT |
AUIRLR024Z
Infineon Technologies
AUIRLR024ZTRL
Infineon Technologies
AUIRLR120N
Infineon Technologies
AUIRLR120NTRL
Infineon Technologies
AUIRLR2703
Infineon Technologies
AUIRLR2703TRL
Infineon Technologies
AUIRLR2905
Infineon Technologies
AUIRLR2905TRL
Infineon Technologies
AUIRLR2905Z
Infineon Technologies
AUIRLR2908
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation