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ON Semiconductor FQD12N20LTM-F085P

Name: FQD12N20LTM-F085P
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD12N20LTM-F085P
Price: 0.555632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (531 reviews)

Número da peça MFG: FQD12N20LTM-F085P

Quantidade disponível: 47990 Peças

Preço de referência: USD 0.555632

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQD12N20LTM-F085P.pdf

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FQD12N20LTM-F085P Especificações

Número da peça de fabricante	FQD12N20LTM-F085P
Número da peça futura	FT-FQD12N20LTM-F085P
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQD12N20LTM-F085P Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD12N20LTM-F085P Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQD12N20LTM-F085P-FT

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