casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB8N60CTM
Número da peça de fabricante | FQB8N60CTM |
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Número da peça futura | FT-FQB8N60CTM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQB8N60CTM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1255pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB8N60CTM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQB8N60CTM-FT |
FQB55N10TM
ON Semiconductor
FDB13AN06A0
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FDB8447L
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FQB12P20TM
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FQB19N20TM
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FQB34P10TM-F085
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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AGLE3000V5-FG484
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
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EPF10K130EQC240-3N
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