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ON Semiconductor FQB6N80TM

Name: FQB6N80TM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB6N80TM
Price: 1.125904 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (349 reviews)

Número da peça MFG: FQB6N80TM

Quantidade disponível: 49850 Peças

Preço de referência: USD 1.125904

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQB6N80TM.pdf

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FQB6N80TM Especificações

Número da peça de fabricante	FQB6N80TM
Número da peça futura	FT-FQB6N80TM
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQB6N80TM Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.13W (Ta), 158W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB6N80TM Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQB6N80TM-FT

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