casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB6N50TM
Número da peça de fabricante | FQB6N50TM |
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Número da peça futura | FT-FQB6N50TM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQB6N50TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB6N50TM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQB6N50TM-FT |
FDB7030L
ON Semiconductor
FDB7030L_L86Z
ON Semiconductor
FDB8160
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FDB8160-F085
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FDB8441-F085
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
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