casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB13N50CTM
Número da peça de fabricante | FQB13N50CTM |
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Número da peça futura | FT-FQB13N50CTM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQB13N50CTM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 195W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB13N50CTM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQB13N50CTM-FT |
FDB86366-F085
ON Semiconductor
FDB150N10
ON Semiconductor
FDB86363-F085
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FQB25N33TM-F085
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XCS20XL-4VQ100C
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XC6SLX150-3FG484I
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A3P1000-2FGG484I
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XC4020E-4HQ208I
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XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel