casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQA9N50
Número da peça de fabricante | FQA9N50 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FQA9N50 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQA9N50 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 160W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA9N50 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQA9N50-FT |
FQA30N40
ON Semiconductor
FDA24N50F
ON Semiconductor
FQA19N60
ON Semiconductor
TK62J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDA8440
ON Semiconductor
FCA47N60
ON Semiconductor
FCA47N60-F109
ON Semiconductor
FCA47N60F
ON Semiconductor
TK39J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FQA90N15
ON Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel