casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP35R12KT4B15BOSA1
Número da peça de fabricante | FP35R12KT4B15BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FP35R12KT4B15BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FP35R12KT4B15BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35A |
Potência - Max | 210W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4B15BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FP35R12KT4B15BOSA1-FT |
APT50GF60JU2
Microsemi Corporation
APT100GT120JU3
Microsemi Corporation
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation
APT200GN60JG
Microsemi Corporation
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel