casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP150R07N3E4BOSA1
Número da peça de fabricante | FP150R07N3E4BOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FP150R07N3E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FP150R07N3E4BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 430W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP150R07N3E4BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FP150R07N3E4BOSA1-FT |
FP35R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
GHIS040A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS040A120S-A1
Global Power Technologies Group
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel