casa / produtos / Isoladores / Optoisoladores - Triac, Saída SCR / FODM3011R2V

| Número da peça de fabricante | FODM3011R2V |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FODM3011R2V |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| FODM3011R2V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de saída | Triac |
| Circuito Zero Crossing | No |
| Número de canais | 1 |
| Tensão - Isolamento | 3750Vrms |
| Tensão - Estado Desligado | 250V |
| Estático dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
| Atual - LED Trigger (Ift) (Max) | 10mA |
| Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 70mA |
| Atual - Hold (Ih) | 300µA (Typ) |
| Ligar hora | - |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Corrente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 100°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 4-SMD, Gull Wing |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-SMD |
| Aprovações | BSI, CSA, UL, VDE |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FODM3011R2V Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FODM3011R2V-FT |

TLP266J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

XCKU040-2FBVA676E
Xilinx Inc.

XC7A100T-L2FGG484E
Xilinx Inc.

A54SX32A-2FG256
Microsemi Corporation

M1AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation

ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

10CL040YF484I7G
Intel

EP3C80U484C6N
Intel

XC7K325T-1FBG900I
Xilinx Inc.

APA075-TQG100
Microsemi Corporation

EP4CE115F29C8LN
Intel