casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / FMMT619-G
Número da peça de fabricante | FMMT619-G |
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Número da peça futura | FT-FMMT619-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FMMT619-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMMT619-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FMMT619-G-FT |
MMST3904-7
Diodes Incorporated
MMST3906-7
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XC6SLX150-N3FGG676C
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XC7A50T-1CSG325C
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10AX027H3F34I2LG
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5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
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XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation