casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / FJP13007H1TU-F080
Número da peça de fabricante | FJP13007H1TU-F080 |
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Número da peça futura | FT-FJP13007H1TU-F080 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJP13007H1TU-F080 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 400V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V |
Potência - Max | 80W |
Freqüência - Transição | 4MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJP13007H1TU-F080 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJP13007H1TU-F080-FT |
KSD1408YTU
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EPF6024ATC144-2
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AGLN250V2-ZVQ100
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EPF10K30EFI256-2
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5SGXEA7K2F35I3LN
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XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX090H2F34E1SG
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5AGXFA5H4F35C5N
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10AX022E3F29E1SG
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