casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS4212RTA
Número da peça de fabricante | FJNS4212RTA |
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Número da peça futura | FT-FJNS4212RTA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS4212RTA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4212RTA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS4212RTA-FT |
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123YT,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-4000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-1FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27I7N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation