casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS4212RTA
Número da peça de fabricante | FJNS4212RTA |
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Número da peça futura | FT-FJNS4212RTA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS4212RTA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4212RTA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS4212RTA-FT |
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123YT,215
Nexperia USA Inc.
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-1N
Intel