casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS4208RBU
Número da peça de fabricante | FJNS4208RBU |
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Número da peça futura | FT-FJNS4208RBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS4208RBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4208RBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS4208RBU-FT |
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTC123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5CPG132C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation