casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS4207RBU
Número da peça de fabricante | FJNS4207RBU |
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Número da peça futura | FT-FJNS4207RBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS4207RBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4207RBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS4207RBU-FT |
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETR
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PDTB143ETR
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PDTB143XTR
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PDTC123ET,215
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PDTC144WT,215
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PDTD123ET,215
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PDTD143ETR
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PDTD143XTR
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PDTA114TT,215
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