casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS4203RBU
Número da peça de fabricante | FJNS4203RBU |
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Número da peça futura | FT-FJNS4203RBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS4203RBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4203RBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS4203RBU-FT |
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTC123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
Intel
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel