casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS3201RBU
Número da peça de fabricante | FJNS3201RBU |
---|---|
Número da peça futura | FT-FJNS3201RBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS3201RBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3201RBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS3201RBU-FT |
PDTD123YUF
Nexperia USA Inc.
PDTD123YUX
Nexperia USA Inc.
PDTD143EUF
Nexperia USA Inc.
PDTD143EUX
Nexperia USA Inc.
PDTD143XUF
Nexperia USA Inc.
PDTD143XUX
Nexperia USA Inc.
PDTC123JT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143XT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZT,215
Nexperia USA Inc.
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
Intel
EP4SGX230FF35I4
Intel