casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / FJD3076TM
Número da peça de fabricante | FJD3076TM |
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Número da peça futura | FT-FJD3076TM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJD3076TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 32V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 500mA, 3V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJD3076TM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJD3076TM-FT |
BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6433HTMA1
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BCX56E6327HTSA1
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BCX6810E6327HTSA1
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BCX6816E6327HTSA1
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BCX6825E6327HTSA1
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BCX6910E6327HTSA1
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BCX6916E6327HTSA1
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BCX6925E6327HTSA1
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A54SX32A-FTQ144
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LCMXO2280E-3TN100I
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LCMXO1200E-4FT256C
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EP2AGZ300HF40I4N
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EP3SE260H780C3N
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5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation