casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / FJAF6806DYDTBTU
Número da peça de fabricante | FJAF6806DYDTBTU |
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Número da peça futura | FT-FJAF6806DYDTBTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJAF6806DYDTBTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 750V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 1A, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4 @ 4A, 5V |
Potência - Max | 50W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PF |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJAF6806DYDTBTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJAF6806DYDTBTU-FT |
KSD569RTU
ON Semiconductor
KSD569YTU
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LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
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XCKU035-L1FBVA676I
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APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
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XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
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EP1SGX40GF1020C7
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