casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / FGA50N100BNTD2
Número da peça de fabricante | FGA50N100BNTD2 |
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Número da peça futura | FT-FGA50N100BNTD2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FGA50N100BNTD2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT and Trench |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1000V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
Potência - Max | 156W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 257nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 34ns/243ns |
Condição de teste | 600V, 60A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGA50N100BNTD2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FGA50N100BNTD2-FT |
STGP3NB60KD
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10M40DCF484I6G
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10AX115R3F40I2SGES
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