casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF400R12KE3B2HOSA1
Número da peça de fabricante | FF400R12KE3B2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF400R12KE3B2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF400R12KE3B2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 580A |
Potência - Max | 2000W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 400A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF400R12KE3B2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF400R12KE3B2HOSA1-FT |
FB10R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FB10R06KL4GB1BOMA1
Infineon Technologies
FB10R06KL4GBOMA1
Infineon Technologies
FB15R06KL4B1BOMA1
Infineon Technologies
FB20R06KL4B1BOMA1
Infineon Technologies
FB20R06W1E3B11HOMA1
Infineon Technologies
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel