casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF200R12KT3EHOSA1
Número da peça de fabricante | FF200R12KT3EHOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF200R12KT3EHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF200R12KT3EHOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 1050W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KT3EHOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF200R12KT3EHOSA1-FT |
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
F3L300R12ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
5SGXEA5N3F45I4N
Intel
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3SG
Intel
EP20K200EBC652-2
Intel
EP2AGZ350FF35I3
Intel
EP4SGX70HF35I4N
Intel