casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF200R12KE3B2HOSA1
Número da peça de fabricante | FF200R12KE3B2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF200R12KE3B2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF200R12KE3B2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 295A |
Potência - Max | 1050W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KE3B2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF200R12KE3B2HOSA1-FT |
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
F1225R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
F1235R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30FC256-3NAA
Intel
5SGXEABN1F45C2L
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
AGL125V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EP4CE115F29C8
Intel
EP1C4F324C7N
Intel