casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF150R12ME3GBOSA1
Número da peça de fabricante | FF150R12ME3GBOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF150R12ME3GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF150R12ME3GBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 695W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF150R12ME3GBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF150R12ME3GBOSA1-FT |
DF200R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
DF200R12W1H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
DF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
DF400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
DF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
DF650R17IE4BOSA1
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DF75R12W1H4FB11BOMA2
Infineon Technologies
DF80R12W2H3FB11BPSA1
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F1225R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel