casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / FESB8JT-E3/81
Número da peça de fabricante | FESB8JT-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-FESB8JT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FESB8JT-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8JT-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FESB8JT-E3/81-FT |
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel