casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / FESB8DT-E3/81
Número da peça de fabricante | FESB8DT-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-FESB8DT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FESB8DT-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8DT-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FESB8DT-E3/81-FT |
6TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel