casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / FESB16BT-E3/81
Número da peça de fabricante | FESB16BT-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-FESB16BT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FESB16BT-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 16A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 16A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16BT-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FESB16BT-E3/81-FT |
19TQ015S
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel