Número da peça de fabricante | FES10D |
---|---|
Número da peça futura | FT-FES10D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
FES10D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277-3 |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES10D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FES10D-FT |
RHRP30120
ON Semiconductor
FES16AT
ON Semiconductor
FES16ATR
ON Semiconductor
FES16BT
ON Semiconductor
FES16BTR
ON Semiconductor
FES16CT
ON Semiconductor
FES16CTR
ON Semiconductor
FES16DT
ON Semiconductor
FES16DTR
ON Semiconductor
FES16FT
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel