casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / FEP16JT-5410HE3/45
Número da peça de fabricante | FEP16JT-5410HE3/45 |
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Número da peça futura | FT-FEP16JT-5410HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
FEP16JT-5410HE3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 16A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16JT-5410HE3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FEP16JT-5410HE3/45-FT |
VT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT30L60C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel