casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDT439N
Número da peça de fabricante | FDT439N |
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Número da peça futura | FT-FDT439N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDT439N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223-4 |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDT439N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDT439N-FT |
SI9435DY
ON Semiconductor
FDMA6676PZ
ON Semiconductor
FDME510PZT
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FDME910PZT
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FDME820NZT
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FCH023N65S3L4
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FCH041N65EFL4
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EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
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XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
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