casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDT434P
Número da peça de fabricante | FDT434P |
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Número da peça futura | FT-FDT434P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDT434P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1187pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223-4 |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDT434P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDT434P-FT |
ZVP4525ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN3A01ZTA
Diodes Incorporated
ZVP4424ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A11ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
DMN30H14DLY-13
Diodes Incorporated
ZVN4424ZTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A08E6TA
Diodes Incorporated
ZXM62P03E6TA
Diodes Incorporated
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel