casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / FDSD0412-H-1R5M=P3
Número da peça de fabricante | FDSD0412-H-1R5M=P3 |
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Número da peça futura | FT-FDSD0412-H-1R5M=P3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FDSD0412 |
FDSD0412-H-1R5M=P3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.3A |
Atual - saturação | 4.1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 64 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0412-H-1R5M=P3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDSD0412-H-1R5M=P3-FT |
LQW2BHN10NJ03L
Murata Electronics North America
LQW2BHN2N7D13L
Murata Electronics North America
LQW2BHN33NJ03L
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LQW2BHN39NJ03L
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LQW2BHN68NG03L
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LQW2BHN8N2D03L
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LQW2BHNR18J03L
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LQW2BHNR22J03L
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LQW2BHN10NJ13L
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LQW2BHN12NJ03L
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel