casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDS86267P
Número da peça de fabricante | FDS86267P |
---|---|
Número da peça futura | FT-FDS86267P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDS86267P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS86267P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDS86267P-FT |
FQAF22P10
ON Semiconductor
FQAF28N15
ON Semiconductor
FQAF33N10
ON Semiconductor
FQAF33N10L
ON Semiconductor
FQAF34N25
ON Semiconductor
FQAF40N25
ON Semiconductor
FQAF44N08
ON Semiconductor
FQAF44N10
ON Semiconductor
FQAF47P06
ON Semiconductor
FQAF58N08
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel