casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDS2170N7
Número da peça de fabricante | FDS2170N7 |
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Número da peça futura | FT-FDS2170N7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDS2170N7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1292pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS2170N7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDS2170N7-FT |
SI3443DV
ON Semiconductor
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EP4CE10E22C7N
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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