casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDPF18N50T
Número da peça de fabricante | FDPF18N50T |
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Número da peça futura | FT-FDPF18N50T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UniFET™ |
FDPF18N50T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2860pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 38.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF18N50T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDPF18N50T-FT |
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
GP1M009A020HG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M009A060H
Global Power Technologies Group
GP1M009A090H
Global Power Technologies Group
GP1M010A060H
Global Power Technologies Group
GP1M010A080H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation