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ON Semiconductor FDP4D5N10C

Name: FDP4D5N10C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP4D5N10C
Price: 2.887504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (58 reviews)

Número da peça MFG: FDP4D5N10C

Quantidade disponível: 40330 Peças

Preço de referência: USD 2.887504

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDP4D5N10C.pdf

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FDP4D5N10C Especificações

Número da peça de fabricante	FDP4D5N10C
Número da peça futura	FT-FDP4D5N10C
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDP4D5N10C Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	128A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 310µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5065pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220-3
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP4D5N10C Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDP4D5N10C-FT

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