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ON Semiconductor FDP038AN06A0-F102

Name: FDP038AN06A0-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP038AN06A0-F102
Price: 1.994648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (730 reviews)

Número da peça MFG: FDP038AN06A0-F102

Quantidade disponível: 31740 Peças

Preço de referência: USD 1.994648

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDP038AN06A0-F102.pdf

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FDP038AN06A0-F102 Especificações

Número da peça de fabricante	FDP038AN06A0-F102
Número da peça futura	FT-FDP038AN06A0-F102
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
FDP038AN06A0-F102 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6400pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	310W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220-3
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP038AN06A0-F102 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDP038AN06A0-F102-FT

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