casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP032N08B-F102
Número da peça de fabricante | FDP032N08B-F102 |
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Número da peça futura | FT-FDP032N08B-F102 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDP032N08B-F102 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 144nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10965pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 263W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP032N08B-F102 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDP032N08B-F102-FT |
FCP165N60E
ON Semiconductor
FCP190N65S3
ON Semiconductor
FCP9N60N
ON Semiconductor
FDP038AN06A0
ON Semiconductor
FDP42AN15A0
ON Semiconductor
FDP5N60NZ
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FCP20N60
ON Semiconductor
FDP100N10
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FDP120N10
ON Semiconductor
FCP16N60N
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel