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ON Semiconductor FDN5618P_G

Name: FDN5618P_G
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDN5618P_G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (97 reviews)

Número da peça MFG: FDN5618P_G

Quantidade disponível: 89150 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® INTEGRATED CIRCUIT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDN5618P_G.pdf

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FDN5618P_G Especificações

Número da peça de fabricante	FDN5618P_G
Número da peça futura	FT-FDN5618P_G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDN5618P_G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	13.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SuperSOT-3
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDN5618P_G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDN5618P_G-FT

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