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ON Semiconductor FDMS4D0N12C

Name: FDMS4D0N12C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS4D0N12C
Price: 2.523736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (334 reviews)

Número da peça MFG: FDMS4D0N12C

Quantidade disponível: 76400 Peças

Preço de referência: USD 2.523736

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® PTNG 120V N-FET PQFN56

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDMS4D0N12C.pdf

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FDMS4D0N12C Especificações

Número da peça de fabricante	FDMS4D0N12C
Número da peça futura	FT-FDMS4D0N12C
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDMS4D0N12C Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	18.5A (Ta), 114A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 370A
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6460pF @ 60V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PQFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS4D0N12C Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDMS4D0N12C-FT

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