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FDMS10C4D2N Image

ON Semiconductor FDMS10C4D2N

Número da peça MFG
FDMS10C4D2N
Quantidade disponível
85540 Peças
Preço de referência
USD 1.264968
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FDMS10C4D2N.pdf
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FDMS10C4D2N Especificações

Número da peça de fabricante FDMS10C4D2N
Número da peça futura FT-FDMS10C4D2N
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
FDMS10C4D2N Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso 8-PowerTDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS10C4D2N Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FDMS10C4D2N-FT

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