casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMJ1027P
Número da peça de fabricante | FDMJ1027P |
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Número da peça futura | FT-FDMJ1027P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDMJ1027P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-MicroFET (2x2) |
Pacote / caso | 6-VDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMJ1027P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMJ1027P-FT |
CC1202
Microsemi Corporation
CMPDM202PH BK
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CMPDM203NH BK
Central Semiconductor Corp
CMPDM302PH BK
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CMPDM303NH BK
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CPC3701C
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CPC3710C
IXYS Integrated Circuits Division
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AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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10AX115U2F45I2SGE2
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