casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDMD8900
Número da peça de fabricante | FDMD8900 |
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Número da peça futura | FT-FDMD8900 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDMD8900 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 19A, 17A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2605pF @ 15V |
Potência - Max | 2.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 12-PowerWDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 12-Power3.3x5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8900 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMD8900-FT |
IRF9952PBF
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