casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMC86116LZ
Número da peça de fabricante | FDMC86116LZ |
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Número da peça futura | FT-FDMC86116LZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDMC86116LZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.3W (Ta), 19W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC86116LZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMC86116LZ-FT |
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
ON Semiconductor
FQI3P20TU
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FQI3P50TU
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FQI47P06TU
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FQI4N20LTU
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A3PE600-2FGG484I
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10M25DAF256C7G
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