casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDH27N50
Número da peça de fabricante | FDH27N50 |
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Número da peça futura | FT-FDH27N50 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDH27N50 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 450W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH27N50 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDH27N50-FT |
GP1M010A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M012A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M013A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M015A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M016A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060F
Global Power Technologies Group
GP1M016A060FH
Global Power Technologies Group
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel