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ON Semiconductor FDFME2P823ZT

Name: FDFME2P823ZT
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFME2P823ZT
Availability: InStock
Rating: 4.6 (704 reviews)

Número da peça MFG: FDFME2P823ZT

Quantidade disponível: 15950 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDFME2P823ZT.pdf

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FDFME2P823ZT Especificações

Número da peça de fabricante	FDFME2P823ZT
Número da peça futura	FT-FDFME2P823ZT
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDFME2P823ZT Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 10V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-MicroFET (1.6x1.6)
Pacote / caso	6-UFDFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFME2P823ZT Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDFME2P823ZT-FT

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