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ON Semiconductor FDFMA3P029Z

Name: FDFMA3P029Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMA3P029Z
Availability: InStock
Rating: 4.5 (337 reviews)

Número da peça MFG: FDFMA3P029Z

Quantidade disponível: 38900 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDFMA3P029Z.pdf

FDFMA3P029Z Especificações

Número da peça de fabricante	FDFMA3P029Z
Número da peça futura	FT-FDFMA3P029Z
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDFMA3P029Z Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	435pF @ 15V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso	6-VDFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA3P029Z Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDFMA3P029Z-FT

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