casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDFMA2P853T
Número da peça de fabricante | FDFMA2P853T |
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Número da peça futura | FT-FDFMA2P853T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDFMA2P853T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MicroFET 2x2 Thin |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDFMA2P853T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDFMA2P853T-FT |
FDMS86101DC
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FDMS86263P
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FDMS7682
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FDMS7672
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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