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ON Semiconductor FDFMA2P029Z

Número da peça MFG
FDFMA2P029Z
Quantidade disponível
60330 Peças
Preço de referência
USD 0.23644
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FDFMA2P029Z.pdf
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FDFMA2P029Z Especificações

Número da peça de fabricante FDFMA2P029Z
Número da peça futura FT-FDFMA2P029Z
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series PowerTrench®
FDFMA2P029Z Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Recurso FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) 1.4W (Tj)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso 6-VDFN Exposed Pad
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA2P029Z Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FDFMA2P029Z-FT

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