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ON Semiconductor FDFMA2P029Z-F106

Name: FDFMA2P029Z-F106
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMA2P029Z-F106
Price: 0.311696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (335 reviews)

Número da peça MFG: FDFMA2P029Z-F106

Quantidade disponível: 83050 Peças

Preço de referência: USD 0.311696

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDFMA2P029Z-F106.pdf

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FDFMA2P029Z-F106 Especificações

Número da peça de fabricante	FDFMA2P029Z-F106
Número da peça futura	FT-FDFMA2P029Z-F106
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDFMA2P029Z-F106 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso	6-VDFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA2P029Z-F106 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDFMA2P029Z-F106-FT

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